В работе методом циклической вольтамперометрии изучены особенности электрохимического осаждения слоя меди на гибкие подложки из титана и тантала, а также режимы последовательного электрохимического осаждения слоя олова на Cu/Ti и Cu/Ta и слоя никеля на Sn/Cu/Ti и Sn/Cu/Ta из соответствующих растворов электролитов. Установлены потенциалы осаждения для каждого металлического слоя с учетом типа подложки, получен широкий набор стабильных прекурсорных пленок Cu–Sn–Ni/Ti и Cu–Sn–Ni/Ta. Оптимизирована стадия отжига в активной атмосфере серы (сульфуризация) с целью получения стабильных соединений состава Cu2NiSnS4. На основе полученных данных РФА и спектроскопии КР установлено, что для синтеза стабильных однофазных соединений состава Cu2NiSnS4 с поликристаллической структурой на Ta- и Ti-подложках необходим отжиг в активной атмосфере серы при 550°С в течение 60 мин.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации