Представлена феноменологическая модель, описывающая изменение структурных характеристик рыхлых осадков цинка, полученных в импульсных гальваностатических режимах задания тока. Сопоставление экспериментальных данных по структурным свойствам осадков с результатами модельных расчетов указывает на адекватность модели. Для описания особенностей роста дендритных осадков и определения продолжительности формирования однородной структуры в импульсных режимах введено понятие критической толщины, при которой происходит резкое изменение плотности рыхлого осадка. Установлена зависимость критической толщины осадков цинка от скважности при импульсных режимах задания тока. Повышение скважности приводит к получению более плотных осадков с огрубленными формами дендритов и с меньшим количеством точек роста, по сравнению с осадками, полученными в гальваностатическом режиме.
С помощью феноменологической модели рассчитаны структурные характеристики рыхлых осадков цинка, полученных в импульсных режимах потенциала. Повышение скважности приводит к усилению анодного растворения в период пауз и получению более плотных осадков, вследствие формирования дендритов с меньшим количеством вершин, но большего диаметра по сравнению с осадками, полученными в потенциостатическом режиме. Установлена линейная зависимость диаметра вершин дендритов, образующих рыхлый осадок цинка, от скважности. Показано, что существует критическое время, соответствующее достижению нулевой скорости роста осадка, когда металл, осажденный за время импульса, будет полностью растворяться во время паузы.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации