- Код статьи
- 10.31857/S0424857024050021-1
- DOI
- 10.31857/S0424857024050021
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 60 / Номер выпуска 5
- Страницы
- 341-348
- Аннотация
- Обсуждаются процессы, происходящие на платиновых электродах при катодной поляризации в спиртовом растворе нитрата эрбия. Установлено, что максимумы плотности тока на катодной ветви вольтамперограмм соответствуют потенциалам реакций восстановления водорода. Показано, что формирующийся в процессе катодной обработки гелеобразный осадок состава Er(OH)x(NO3)y(С2Н5О)z · nH2O, x + y + z = 3, не является продуктом электронного обмена между катодом и компонентами раствора. Предложен следующий механизм формирования эрбийсодержащего осадка. Сначала реализуется электрохимический процесс катодного восстановления водорода. Этот процесс приводит к ионному дисбалансу и вызывает подщелачивание прикатодного пространства. Тем самым создаются условия для реализации химического процесса формирования гелеобразной гидроокиси эрбия, которая физически адсорбируется на поверхности катода в виде осадка.
- Ключевые слова
- катодная поляризация платиновый электрод спиртовой раствор нитрата эрбия эрбийсодержащий осадок механизм формирования эрбийсодержащего осадка
- Дата публикации
- 17.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 2
Библиография
- 1. Reisfeld, R., Application of luminescence spectroscopy in new materials for solar energy utilization, Online Elsevier Reference Module in Chemistry, Molecular Sciences and Chemical Engineering, 2017. https://doi.org/10.1016/B978-0-12-409547-2.11688-9
- 2. Kenyon, A.J., Erbium in silicon, Semicond. Sci. Technol., 2005, vol. 20, p. R65.
- 3. Феклистов, К.В., Абрамкин, Д.С., Ободников, В.И., Попов, В. П. Легирование кремния эрбием методом имплантации атомов отдачи. Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. № 16. С. 52. [Feklistov, K.V., Abramkin, D.S., Obodnikov, V.I, and Popov, V.P., Doping silicon with erbium by recoil implantation, Techn. Phys. Lett., 2015, vol. 41 (8), p. 788.] https://doi.org/10.1134/S1063785015080209
- 4. Kukharchyk, N., Pal, S., Rödiger, J., Ludwig, A., Probst, S., Ustinov, A.V., Bushev, P., and Wieck, A.D., Photoluminescence of focused ion beam implanted Er3+: Y2SiO5 crystals, Phys. Status Solidi (RRL) – Rapid Res. Lett., 2014, vol. 8 (10), p. 880. https://doi.org/10.1002/pssr.201409304
- 5. Drozdov, M.N., Latukhina, N.V., Stepikhova, M.V., Pokoeva, V.A., and Surin, M.A., Oxygen and erbium distribution in diffusion doped silicon, Modern Electronic Mater., 2016, vol. 2, p. 7. https://doi.org/10.1016/j.moem.2016.08.001
- 6. Kimura, T., Yokoi, A., Horiguchi, H., and Saito, R., Electrochemical Er doping of porous silicon and its room-temperature luminescence, Appl. Phys. Lett., 1994, vol. 65, p. 983. https://doi.org/10.1063/1.112169
- 7. Pourbaix, M. Atlas of Electrochemical Equilibria in Aqueous Solutions. Second English Edition. National Association of Corrosion Engineer, 1974, 645 p.
- 8. Методы измерения в электрохимии: в 2 т., под ред. Ю. А. Чизмаджева. М.: Мир, 1977. Т. 1. 588 с.
- 9. Фритц, Дж., Шенк, Г. Количественный анализ. Пер. с англ. Т. Н. Шеховцовой, О. А. Шпигуна; под ред. Ю. А. Золотова. М.: Мир, 1978. 557 с.
- 10. Bard, A.J. and Faulkner, L. R. Electrochemical Methods: Fundamentals and Applications, 2nd ed.; New York: Wiley, 2001, 850 p.
- 11. The Rare Earth Elements Fundamentals and Applications, Atwood D. A., Ed., John Wiley & Sons Ltd, West Sussex, UK, 2012, 629 p.
- 12. Handbook on the physics and chemistry of rare earths, vol.01, Gschneidner K. A., Jr. et al. Eds., Elsevier, 1978, 900 p.
